RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
46
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
13.8
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2456
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link