RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
72
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.3
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
72
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
1951
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link