RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
16.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
20.0
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3771
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
INTENSO M418039 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link