RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
20.7
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
4033
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8KTF25664AZ-1G6M1 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT25664AC667.C16FH 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link