RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3158
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link