RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
21.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
19.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
21.9
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
19.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
4044
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link