RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2903
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link