A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 10

Среднее значение в тестах

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 46

Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.9 2,061.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 35
Скорость чтения, Гб/сек

4,937.3 10.0
Скорость записи, Гб/сек

2,061.2 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

759 2200

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB

Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB

модули RAM

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB

Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston 9905598-039.A00G 16GB

Kingston 9905598-039.A00G 16GB

модули RAM