RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
10.0
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2200
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Сравнения RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link