RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.0
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
10.0
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2068
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link