RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
10.5
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2179
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link