RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3169
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link