RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
66
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.1
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
66
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.1
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
1820
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
INTENSO M418039 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link