RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3148
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link