RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.0
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2892
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link