RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около -28% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3050
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link