RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3482
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link