RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около -35% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2763
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link