A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 15.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,061.2 left arrow 11.5
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    34 left arrow 46
    Около -35% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 6400
    Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 34
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,937.3 left arrow 15.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,061.2 left arrow 11.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    759 left arrow 2763
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения