RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
46
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
45
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
11.6
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2036
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Team Group Inc. Quad-Vulcan-1866 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link