RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
55
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
55
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2701
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link