RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около -28% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2734
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link