RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
46
Около -2% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
45
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2943
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link