RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
17.0
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2379
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link