RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3132
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link