RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
14.7
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2476
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link