RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
AMD AE34G1601U1 4GB против G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
AMD AE34G1601U1 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
67
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.9
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
67
32
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
10.9
Скорость записи, Гб/сек
3.6
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
998
2370
AMD AE34G1601U1 4GB Сравнения RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link