RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Сравнить
AMD AE34G1601U1 4GB против Kingston 9965669-005.A01G 16GB
-->
Средняя оценка
AMD AE34G1601U1 4GB
Средняя оценка
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
67
68
Около 1% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
67
68
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
3.6
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
998
2084
AMD AE34G1601U1 4GB Сравнения RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link