RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сравнить
AMD AE34G1601U1 4GB против Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
-->
Средняя оценка
AMD AE34G1601U1 4GB
Средняя оценка
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
67
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
67
35
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
15.0
Скорость записи, Гб/сек
3.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
998
2654
AMD AE34G1601U1 4GB Сравнения RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMT351U7BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G8002 1GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link