RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сравнить
AMD AE34G1601U1 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
-->
Средняя оценка
AMD AE34G1601U1 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
67
Около -205% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.5
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
67
22
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
20.9
Скорость записи, Гб/сек
3.6
18.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
998
4324
AMD AE34G1601U1 4GB Сравнения RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HX421C14FB/4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link