AMD AE34G2139U2 4GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB

-->

Средняя оценка

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD AE34G2139U2 4GB

Причины выбрать
AMD AE34G2139U2 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

20 56

Около -180% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.9 7.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.0 5.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD AE34G2139U2 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

56 20
Скорость чтения, Гб/сек

7.4 18.9
Скорость записи, Гб/сек

5.6 15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1462 3281

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

A-DATA Technology 11137401 8GB

A-DATA Technology 11137401 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB

Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB

модули RAM