AMD AE34G2139U2 4GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

-->

Средняя оценка

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD AE34G2139U2 4GB

Причины выбрать
AMD AE34G2139U2 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

20 56

Около -180% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.7 7.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.0 5.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD AE34G2139U2 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

56 20
Скорость чтения, Гб/сек

7.4 19.7
Скорость записи, Гб/сек

5.6 16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1462 3465

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB

Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB

Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C

Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB

модули RAM

Kingston HP691160-H63-KEB 8GB

Kingston HP691160-H63-KEB 8GB

AMD R538G1601S2LS 8GB

AMD R538G1601S2LS 8GB

модули RAM

Corsair CMT32GX5M2X6200C36 16GB

Corsair CMT32GX5M2X6200C36 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Kingston 9905402-158.A00LF 2GB

Kingston 9905402-158.A00LF 2GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB

модули RAM