RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
73
Около -161% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
28
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
17.4
Скорость записи, Гб/сек
5.2
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
3437
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link