RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
73
Около -161% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
28
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
17.4
Скорость записи, Гб/сек
5.2
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
3437
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link