AMD R5316G1609U2K 8GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB

-->

Средняя оценка

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R5316G1609U2K 8GB

Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 73

Около -161% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.3 6.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.0 5.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 28
Скорость чтения, Гб/сек

6.3 18.3
Скорость записи, Гб/сек

5.2 14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1309 3409

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston KF073F-ELF 2GB

Kingston KF073F-ELF 2GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB

Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

модули RAM