RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
73
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
38
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
16.2
Скорость записи, Гб/сек
5.2
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
2944
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link