AMD R5316G1609U2K 8GB против G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB

-->

Средняя оценка

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R5316G1609U2K 8GB

Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 73

Около -152% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.6 6.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.8 5.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 29
Скорость чтения, Гб/сек

6.3 18.6
Скорость записи, Гб/сек

5.2 14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1309 3480

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB

Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston 9905678-005.A00G 8GB

Kingston 9905678-005.A00G 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB

Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Kingston 9905701-141.A00G 16GB

Kingston 9905701-141.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB

модули RAM