AMD R5316G1609U2K 8GB против G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB

-->

Средняя оценка

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R5316G1609U2K 8GB

Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 73

Около -170% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.4 6.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.9 5.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 27
Скорость чтения, Гб/сек

6.3 19.4
Скорость записи, Гб/сек

5.2 16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1309 3929

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB

Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Kingston 9965589-024.D01G 16GB

Kingston 9965589-024.D01G 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB

Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB

Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB

модули RAM