RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
73
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
29
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
19.3
Скорость записи, Гб/сек
5.2
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
3557
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link