RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

AMD R5316G1609U2K 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R5316G1609U2K 8GB Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 73
    Около -152% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.5 left arrow 6.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.2 left arrow 5.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    73 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6.3 left arrow 13.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.2 left arrow 10.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1309 left arrow 2088

AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM

Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
модули RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
модули RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
модули RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
модули RAM