RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
73
Около -204% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
24
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
5.2
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
2946
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link