RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.1
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
73
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
14.1
Скорость записи, Гб/сек
5.2
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
1609
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link