RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
73
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
56
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
20.1
Скорость записи, Гб/сек
5.2
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
2455
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link