AMD R5316G1609U2K 8GB против SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

-->

Средняя оценка

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Средняя оценка

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R5316G1609U2K 8GB

Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB

Сообщить об ошибке

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

Причины выбрать
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

42 73

Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.7 6.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.0 5.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD R5316G1609U2K 8GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 42
Скорость чтения, Гб/сек

6.3 15.7
Скорость записи, Гб/сек

5.2 13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1309 3033

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

модули RAM

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston 9965589-017.D00G 8GB

Kingston 9965589-017.D00G 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston 9905702-008.A00G 8GB

Kingston 9905702-008.A00G 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB

Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB

A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB

модули RAM