RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сравнить
AMD R534G1601U1S-UO 4GB против AMD R7S44G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Средняя оценка
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
27
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
20
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
18.9
Скорость записи, Гб/сек
9.2
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2272
2707
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Сравнения RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link