RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Сравнить
AMD R534G1601U1S-UO 4GB против Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.6
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
14.5
Скорость записи, Гб/сек
9.2
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2272
2576
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Сравнения RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link