AMD R538G1601U2S 8GB против Inmos + 256MB

-->

Средняя оценка

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Средняя оценка

Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R538G1601U2S 8GB

Причины выбрать
AMD R538G1601U2S 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

19 30

Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.4 11.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.3 9.1

Среднее значение в тестах

Inmos + 256MB

Причины выбрать
Inmos + 256MB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

16800 12800

Около 1.31 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD R538G1601U2S 8GB

Inmos + 256MB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

19 30
Скорость чтения, Гб/сек

18.4 11.5
Скорость записи, Гб/сек

12.3 9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 16800

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3189 2318

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB

Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB

Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB

Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB

A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB

модули RAM