AMD R538G1601U2S 8GB против Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

-->

Средняя оценка

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Средняя оценка

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R538G1601U2S 8GB

Причины выбрать
AMD R538G1601U2S 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

19 32

Около 41% меньшая задержка

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

20.6 18.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.7 12.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD R538G1601U2S 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

19 32
Скорость чтения, Гб/сек

18.4 20.6
Скорость записи, Гб/сек

12.3 14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3189 3393

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB

Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Kingston 9905711-032.A00G 8GB

Kingston 9905711-032.A00G 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB

Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB

модули RAM

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB

Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB

модули RAM