RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
AMD R538G1601U2S-UO 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.0
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
11.1
Скорость записи, Гб/сек
10.0
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2634
2319
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link