RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
AMD R538G1601U2S-UO 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.0
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
11.1
Скорость записи, Гб/сек
10.0
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2634
2319
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link