RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Сравнить
AMD R538G1601U2S-UO 8GB против SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
-->
Средняя оценка
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
10.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2634
2641
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link