RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Сравнить
AMD R538G1601U2S-UO 8GB против V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Средняя оценка
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
53
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.0
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20
14.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
53
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
20.0
Скорость записи, Гб/сек
10.0
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2634
2366
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link