AMD R5S38G1601U2S 8GB против G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

-->

Средняя оценка

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Причины выбрать
AMD R5S38G1601U2S 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 37

Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.5 15.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.6 9.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD R5S38G1601U2S 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 25
Скорость чтения, Гб/сек

15.4 15.5
Скорость записи, Гб/сек

9.2 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2581 2910

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB

TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB

модули RAM

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB

Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9905734-062.A00G 32GB

Kingston 9905734-062.A00G 32GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Kingston 9905624-033.A00G 8GB

Kingston 9905624-033.A00G 8GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Kingston 9905701-098.A00G 16GB

Kingston 9905701-098.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

модули RAM