RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
AMD R5S38G1601U2S 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.4
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.2
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2581
3866
AMD R5S38G1601U2S 8GB Сравнения RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link